GaAs衬底上外延生长InAsGaSb二类超晶格的方法及系统

本发明属于半导体技术领域，公开了一种在GaAs衬底上外延生长InAsGaSb二类超晶格的方法及系统，选用高质量的GaAs单晶作为衬底，通过化学机械抛光和清洗处理，去除表面杂质和氧化层；精确控制生长温度、气体流量、压力等参数，优化生长条件；采用先进的原位监测技术，实时检测生长过程中的杂质浓度和表面形貌；生长工艺设计：设计合理的生长工艺，包括生长层数、生长顺序等参数；通过交替生长InAs和GaSb层，形成具有周期性结构的二类超晶格；通过精确控制生长速率；后处理工艺：在完成生长后，对样品进行后处理，包括退火、冷却等步骤。本发明提供了一种在GaAs衬底上外延生长InAs/GaSb二类超晶格的有效途径，具有广泛的应用前景和重要的技术价值。