等离子体改善低雷诺数下高超声速进气道流动分离的方法

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等离子体改善低雷诺数下高超声速进气道流动分离的方法
申请号:CN202410912455
申请日期:2024-07-09
公开号:CN118775060A
公开日期:2024-10-15
类型:发明专利
摘要
提出一种等离子体改善低雷诺数下高超声速进气道流动分离的装置,前体为两级或两级以上压缩,进气道通道内宽高比大于2;进气道斜坡上设置三个阶梯凹槽,阶梯凹槽沿展向延伸,等离子体激励器装配在阶梯凹槽内,使用三个电源分别给三个激励器供电。还提供一种等离子体改善低雷诺数下高超声速进气道流动分离的方法,在低雷诺数条件下,利用高频等离子体的持续扰动作用,促进或强制边界层转捩以保证进气道入口处的边界层湍流状态,同时增强边界层抵抗逆压梯度的能力,减缓唇口激波/壁面边界层干扰诱导的流动分离,改善/提升低雷诺数条件下高超声速进气道的进气性能以及进气效率,这对改善低雷诺数条件下高超声速进气道流动分离具有重要意义。
技术关键词
高超声速进气道 高压电线 阶梯 边界层转捩 等离子体激励器 低雷诺数条件 凹槽 湍流 等离子体放电电极 模型制作材料 氧化铝陶瓷材料 进气道唇口 绝缘密封胶 装配电极 高压导线 对称轴 通道
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