非对称的半导体放电管芯片及其制作方法

本发明公开了一种非对称的半导体放电管芯片，其包括基板、第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区、第四掺杂区、多个第五掺杂区、多个第六掺杂区、第一电极及第二电极。本发明还公开了一种非对称的半导体放电管芯片的制作方法。发明的非对称的半导体放电管芯片在第一掺杂区内形成深度从两侧到中间依次减小的多个第五掺杂区，在第二掺杂区内形成宽度从两侧到中间依次增大的多个第六掺杂区，使芯片形成NPN‑PNP双三极管，不仅能满足正极到负极的低压快速导通，还能满足负极到正极的高压快速放电，从而实现正向、负向过压不同保护阈值的双向保护功能。本发明还具有结构简单、制备工艺环保，且保护性能稳定可靠等特点。