一种基于亚波长硅柱的3dB光功分器

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一种基于亚波长硅柱的3dB光功分器
申请号:CN202410913282
申请日期:2024-07-09
公开号:CN118778173A
公开日期:2024-10-15
类型:发明专利
摘要
本发明涉及一种基于亚波长硅柱的3dB光功分器,包括:衬底;绝缘埋层,位于所述衬底的上表面;覆盖层,位于所述所述绝缘埋层的上表面;弯曲定向耦合器,形成在所述覆盖层内,并位于所述绝缘埋层的上表面;多个硅柱结构,形成在所述覆盖层内,并位于所述绝缘埋层的上表面且周期性排列在所述弯曲定向耦合器的弯曲部的凸出一侧。本发明能够实现稳定的3dB功分。
技术关键词
弯曲定向耦合器 覆盖层 波长 绝缘 波导 衬底 粒子 因子 耦合结构 周期性 速度 二氧化硅 算法 尺寸 间距 定义
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