半导体存储器装置

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半导体存储器装置
申请号:CN202410919424
申请日期:2024-07-10
公开号:CN120152285A
公开日期:2025-06-13
类型:发明专利
摘要
一种半导体存储器装置包括虚设层叠结构、绝缘芯片保护图案以及导电芯片保护图案,绝缘芯片保护图案穿透虚设层叠结构的下部,并且导电芯片保护图案在绝缘芯片保护图案上方与绝缘芯片保护图案对齐并且穿透虚设层叠结构的上部。
技术关键词
半导体存储器装置 存储器单元阵列结构 层叠结构 接触结构 芯片 图案 绝缘结构 掺杂半导体 电路 导电层
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