一种集成电路失效边界求解方法及装置、电子设备、介质

本申请提供一种集成电路失效边界求解方法及装置、电子设备、介质，应用于集成电路设计技术领域，其中：先将集成电路的电路性能表示为工艺偏差变量的二次多项式模型，并构建出二次多项式模型对应的具有二次约束的二次规划问题；然后，将二次规划问题松弛为半正定规划问题；最后，通过半正定规划求解出最优解。通过不对二次规划问题直接求解，而是转换为半正定问题进行求解，不仅能够简化最优解的求解过程，提升求解效率，而且基于半正定求解，能够保证求解到全局最优解，避免了局部最优解的搜索，同样能够简化最优解的求解过程，以及提高了最优解的准确性，保证集成电路设计具有非常好的可靠性。