一种功率模块及其制备方法

AITNT
正文
推荐专利
一种功率模块及其制备方法
申请号:CN202410925227
申请日期:2024-07-11
公开号:CN118471945B
公开日期:2024-09-06
类型:发明专利
摘要
本发明公开一种功率模块及其制备方法,属于半导体技术领域,包括陶瓷层、第一导电铜层、第二导电铜层和第一导热铜层,陶瓷层的一面开设有成组的凹槽,陶瓷层的另一面连接第一导热铜层;每组凹槽包括第一凹槽和第二凹槽,同组凹槽中,第一凹槽与第一凹槽以及第一凹槽与第二凹槽在底部连通,第一导电铜层位于第一凹槽的底部并由第二凹槽引出,芯片安装在第一凹槽内;芯片的底部连接第一导电铜层,芯片的顶部连接第二导电铜层。本发明能够降低功率模块体积,使得芯片散发的热量更短间距更集中的传递到第一导热铜层及第一散热器,实现对芯片的更高效的散热,能够从陶瓷层结构上进行改进,进一步提高功率模块的散热能力。
技术关键词
功率模块 导电 散热器 凹槽 绝缘导热 芯片 陶瓷 DBC结构 焊料 金刚石 端子 真空 间距
系统为您推荐了相关专利信息
1
一种超大阵列多芯片封装结构、多芯片封装工艺及其检测方法
多芯片封装工艺 多芯片封装结构 管壳 柔性电路板 焊盘
2
一种功率模块封装结构及功率模块
功率模块封装结构 基板 芯片 端子 底板
3
半导体装置及其制造方法
导电性构件 半导体装置 半导体芯片 引线 接合线
4
一种曲面玻璃轮廓度检测设备及方法
曲面玻璃 轮廓度检测 安装外壳 滑动架 支撑外壳
5
半导体芯片和制造半导体芯片的方法
半导体芯片 半导体封装件 封装基板 基底 模制
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号