半导体装置及其制造方法

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半导体装置及其制造方法
申请号:CN202510469229
申请日期:2025-04-15
公开号:CN121011590A
公开日期:2025-11-25
类型:发明专利
摘要
本公开涉及半导体装置及其制造方法。本公开提供一种能提高基底部与树脂封固部的密合性的半导体装置。半导体装置具备:基底部(12),至少上表面是金属;一个或多个部件,隔着第一导电性构件(16)安装于所述基底部上,包括半导体芯片;第二导电性构件(18A、18B),设于所述基底部上,包含烧结金属或含金属粉树脂,所述第二导电性构件未搭载所述一个或多个部件;以及树脂封固部(14),在所述基底部上与所述基底部、所述一个或多个部件以及所述第二导电性构件接触,对所述一个或多个部件进行封固,所述第二导电性构件与所述第一导电性构件分离。
技术关键词
导电性构件 半导体装置 半导体芯片 引线 接合线 金属粉 匹配电路 晶体管 信号
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