一种差分阵列结构及寻址方法

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一种差分阵列结构及寻址方法
申请号:CN202410927445
申请日期:2024-07-11
公开号:CN118824304A
公开日期:2024-10-22
类型:发明专利
摘要
本申请提出了一种差分阵列结构及寻址方法,涉及存储器技术领域。本申请提出的差分阵列结构,包括第一存储器阵列、第二存储器阵列和读出放大器,其中:第一存储器阵列上包含多个第一存储单元,第二存储器阵列上包含多个第二存储单元,第一存储器阵列和第二存储器阵列为对称结构;第一存储器阵列和第二存储器阵列构成多个差分单元组,每个差分单元组包括1个第一存储单元和1个第二存储单元;差分单元组通过读出放大器进行输出,每个差分单元组的最终输出为一个比特。本申请提出的差分阵列结构,通过使用差分结构作为单比特存储单元,通过差分的结构提高存储信息的可靠性。
技术关键词
存储单元 存储器阵列 阵列结构 存储阵列 读出放大器 寻址方法 阻变存储器件 位线 存储器技术 线下 数据 晶体管 布局 芯片 电阻
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