一种具有光束质量增强下波导层的半导体激光芯片

本发明涉及一种具有光束质量增强下波导层的半导体激光芯片。该具有光束质量增强下波导层的半导体激光芯片，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，所述下波导层为光束质量增强下波导层；所述光束质量增强下波导层的峰值速率电场的谷值位置往下限制层方向的上升角度为α，所述光束质量增强下波导层的峰值速率电场的峰值位置往有源层方向的下降角度为β，其中：30°≤α≤β≤90°；该具有光束质量增强下波导层的半导体激光芯片，通过设计光束质量增强下波导层的峰值速率电场和共价键能变化角度及其分布，调控下波导层的载流子分布，使远场图像更接近高斯分布，提升光斑质量和聚束效果。