一种高保真度两比特门制备方法

本发明公开了一种高保真度两比特门制备方法，包括：对两比特门在退相干时间内，施加两个为退相干时间一半、相位相反的连续驱动的抑制噪音，将量子系统与环境进行解耦；对两比特门进行相互作用，形成波形时序区块和积累相位，并在相互作用之前与相互作用之后分别设置缓冲区域，形成第一缓冲区域和第二缓冲区域；在第一缓冲区域和第二缓冲区域处进行缓冲幅度校准优化，消除积累相位，得到优化后的两比特门；该方法使得实验上得到高保真度的两比特门，噪音能够被有效地抑制，退相位时间能被极大地延长。