摘要
本发明公开了一种芯片封装方法及芯片封装结构,针对TF‑SAW中焊盘与晶圆级芯片之间的压电材料薄膜不易去除的情况,可以无需去除压电材料层,直接从晶圆级芯片背面(未设置压电材料层的表面)在需要连通的焊盘处通过干法刻蚀或镭射激光方式对压电材料层进行开孔,实现焊盘的电引出,避免损伤芯片表面的IDT(叉指换能器)区域,能适用于大部分的TF‑SAW产品。
技术关键词
芯片封装方法
芯片封装结构
压电材料薄膜
通孔
叉指换能器
衬底
激光
线路
粘合剂
凹槽
涂覆
系统为您推荐了相关专利信息
叉指换能器
硫系玻璃波导
集成芯片
激光雷达系统
扫描方法
巡检机器人充电
充电舱
PLC控制器
半导体制冷片
降温组件
陶瓷基座
金属电路层
封装结构
封装芯片
LTCC工艺
锁紧盘
导气螺栓
工业机器人自动化
机器人本体
锁紧块