晶圆级芯片制造方法

本发明公开了一种晶圆级芯片制造方法，包括：提供第一晶圆；在第一晶圆上形成第一键合层；提供第二晶圆和至少四个第二芯片；将第二芯片键合在第二晶圆上；在键合有第二芯片的第二晶圆上继续形成第一介电层；刻蚀第一介电层形成通孔，并在通孔中沉积导电材料，形成与第二芯片的电极互连的第一垂直导电插塞；在第一介电层上形成与第一垂直导电插塞互连的水平导电结构；在第一介电层和水平导电互连结构上继续形成第二介电层，形成第二重构晶圆；将第二重构晶圆和第一晶圆键合；去除第二晶圆；刻蚀第一介电层和第二介电层。提高了系统级封装集成度，实现更好的线宽和更高的良率。