一种用于在200℃抗闩锁效应的工艺

本发明公开了一种用于在200℃抗闩锁效应的工艺，包括以下工艺步骤：S1：先加热沙子，从沙子中分离出硅和一氧化碳，不断地持续加热，直到生成高纯度的电子级硅，高纯硅融化成液体，冷却凝固后通过提拉法形成硅锭，使用金刚石锯切掉铸锭的两端，再将其切割成薄片；避免了钻削加工对芯片本体的闩锁效应防护结构造成击穿，避免芯片在温度升高时，β值随温度增加导致CMOS电路的抗闩锁能力降低，防止碎屑在钻削时产生溢散的现象时，对芯片表面产生划伤和污染，使芯片晶圆不会通过吸盘传递静电荷，产生静电击穿氧化层形成开路，使芯片通电后产生“闩锁效应”，同时提高了清理的便捷性。