半导体封装体和制造其的方法

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半导体封装体和制造其的方法
申请号:CN202410947408
申请日期:2024-07-16
公开号:CN119852267A
公开日期:2025-04-18
类型:发明专利
摘要
半导体封装体包括:包括第一焊盘的第一半导体芯片;第二半导体芯片,所述第二半导体芯片包括设置在面对所述第一半导体芯片的前表面上并且与所述第一焊盘接触的第二焊盘、以及电连接到所述第二焊盘并延伸到与所述前表面相反的后表面的贯通电极;覆盖相应的第一和第二半导体芯片的至少部分且具有面对所述第一和第二半导体芯片的内表面和与所述内表面相反的外表面的介电层;以及在所述介电层的所述外表面的一部分上且电连接到所述贯通电极的隆起结构体。所述介电层包括无机颗粒和聚合物链,所述聚合物链结合到相应的无机颗粒的至少一侧并且经由所述无机颗粒朝向所述内表面和所述外表面连接。
技术关键词
半导体封装体 半导体芯片 介电层 聚合物 焊盘 电极 聚羟基苯乙烯 官能团 复合物 绝缘材料 硅酸盐 光敏树脂 锂皂石 通孔结构 伊利石 纳米 蒙脱石 环氧树脂
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