一种基于改进条件生成式网络的多结构太赫兹超材料传感器反向设计方法

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一种基于改进条件生成式网络的多结构太赫兹超材料传感器反向设计方法
申请号:CN202410949526
申请日期:2024-07-16
公开号:CN119026454A
公开日期:2024-11-26
类型:发明专利
摘要
本发明提出了一种基于改进条件生成式网络的多结构太赫兹超材料传感器反向设计方法:(1)构建太赫兹超材料传感器结构,并建立传感器结构参数以及对应吸收曲线的样本数据集;(2)构造并训练多结构太赫兹超材料传感器反向设计模型;在该生成对抗网络训练过程中,输入由吸收曲线组成的条件张量和随机生成的噪声向量级联,形成条件噪声传递给生成器,以生成足够的伪样本数据;鉴别器计算真实样本数据与伪样本数据之间的Wasserstein距离,实现太赫兹超材料传感器结构反向设计;(3)构造并训练正向神经网络模型,以验证生成对抗网络设计的太赫兹超材料传感器结构是否符合设计要求。本发明实现了太赫兹超材料传感器的高效反向设计。
技术关键词
太赫兹超材料 反向设计方法 传感器结构 生成式网络 超材料传感器 生成对抗网络训练 神经网络模型 样本 多结构 数据 谐振器 曲线 Sigmoid函数 注意力机制 噪声 衬底层 方形 参数
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