摘要
本发明属于发光材料技术领域,具体涉及一种Cr3+激活的具有间隙氧离子的β‑Ga2O3及其衍生结构的近红外发光材料及其制备方法和应用。所述近红外发光材料的化学结构式为AxByCrzO3+a,其中:A为三价阳离子Ga、Sc、In中的一种或多种,且A中必须包含Ga,B为四价阳离子Ge、Sn、Ti中的一种,0<y≤0.2,0<z≤0.1,x+y+z=2,0<a≤0.1。本发明通过在β‑Ga2O3及其衍生结构近红外发光材料中进行四价离子Ge4+、Sn4+或Ti4+对三价离子Ga3+、Sc3+、In3+的非等价取代,进而引入间隙氧离子,并保持体系的电荷平衡,从而实现发光强度和热稳定性能的提升,并且不会改变发光材料的激发和发射光谱。
技术关键词
近红外发光材料
LED芯片
LED器件
发光材料技术
结构式
离子
碳酸盐
氧化铬
混合物
马弗炉
分段
保温
速率
碾碎
硝酸
波长
涂覆
系统为您推荐了相关专利信息
MicroLED芯片
微纳光学结构
微透镜阵列
像素
挡墙
杂萜类化合物
抗心力衰竭药物
心肌细胞
心脏射血分数
心衰模型
LED芯片
磁驱动
支撑微结构
印章
纳米磁性颗粒
照明系统
整流器模块
线圈组件
自行车前轮
光敏开关