一种用于压控振荡器的高相位噪声消除方法

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一种用于压控振荡器的高相位噪声消除方法
申请号:CN202410958906
申请日期:2024-07-17
公开号:CN118862823B
公开日期:2025-10-28
类型:发明专利
摘要
本发明涉及数据处理技术领域,具体公开了一种用于压控振荡器的高相位噪声消除方法,包括以下步骤:通过采用有限元仿真工具对FBAR实物进行三维建模,设计一款高品质因数FBAR谐振器;提取FBAR谐振器基本参数,采用MBVD模型拟合,得到MBVD等效电路模型;利用集成电路仿真工具candence,将交叉耦合式结构的振荡器与MBVD等效电路结合并优化,从而降低VCO的相位噪声和功率;采用了三维有限元软件COMSOL Multiphysics设计出一种高品质因数的FBAR谐振器,将所述高品质因数的FBAR谐振器与CMOS集成电路进行交叉融合,优化结构设计;该方法旨在降低相位噪声和功耗,同时解决低频锁定的压控振荡器问题。
技术关键词
相位噪声消除方法 交叉耦合振荡器 FBAR谐振器 压控振荡器 品质因数 等效电路模型 集成电路仿真工具 噪声系数 优化结构设计 仿真模型 高品质 曲线 晶体管 环形振荡器 频率 噪声因子
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