一种校验IGBT短路type1行为仿真模型的频域分析方法

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一种校验IGBT短路type1行为仿真模型的频域分析方法
申请号:CN202410964154
申请日期:2024-07-18
公开号:CN119026320A
公开日期:2024-11-26
类型:发明专利
摘要
本发明属于半导体技术领域,具体是一种校验IGBT短路type1行为仿真模型的频域分析方法。包括:S100:根据短路持续时间计算DFT分析的基波频率;S200:计算频域分析下的电压频域评估PV;S300:计算频域分析下的电流频域评估PI;S400:根据电压频域评估PV和电流频域评估PI计算总的频域评估指标P,作为不同短路type1失效仿真模型的有效性衡量指标。本发明对于变频器等装置的全工况设计和选型提供了更好的支持,提高了设计的效率,同时降低了研发的周期和成本。
技术关键词
频域分析方法 仿真模型 短路 波形 频率 序列 电压 IGBT器件 实测电流 指标 数学 有效性 符号 变频器 工况 理论 周期 关系
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