一种LED芯片及其制备方法

本发明公开了一种LED芯片及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，该制备方法包括：提供一待镀膜晶圆；将待镀膜晶圆放置于镀膜设备的镀膜腔内，对镀膜腔内进行抽真空处理，使腔体压强为预设压强值；对镀膜腔内进行加热，使腔体温度升温至预设温度值；向镀膜腔内通入混合气氛，包括SiH4气体与N2O气体，SiH4气体与N2O气体的流量比为预设流量比；设定射频功率为预设功率值以进行射频处理，使待镀膜晶圆的表面形成SiO2膜层。本发明优化了LED芯片制作过程中SiO2膜层的成膜过程，提升SiO2膜层的致密性，从而提升后续LED芯片制作的芯片良率。