一种多尺度硅通孔背部散热结构及其制备方法和应用

本发明属于微电子封装领域，具体涉及一种多尺度硅通孔背部散热结构及其制备方法和应用，设置于芯片的背面；所述的硅通孔包括依次连通且尺寸顺序减小的导热轨道、至少一级的微米级硅通孔和至少一级的纳米级硅通孔，所述的纳米级硅通孔的末端贴靠于芯片的发热源设置；所述的硅通孔的内部填充有高热导率材料。与现有技术相比，本发明解决现有技术中散热效率有限、普适性较低且工艺要求较高的问题，本方案实现了从芯片内部热源进行热量传递，提升散热效率，有效降低芯片温度。