一种多模态感存算一体类脑芯片及其制备方法

本发明公开了一种多模态感存算一体类脑芯片及其制备方法，包括：依次设于衬底表面上的栅介质层和沟道层，以及设于所述沟道层的两端上的源漏电极；所述沟道层包括以一端相连并形成异质结的铁电半导体层和有机半导体层，所述源漏电极分设于所述铁电半导体层和所述有机半导体层上；所述铁电半导体层作为光信号与电信号的响应层，所述有机半导体层作为气体的响应层。本发明利用铁电半导体与有机半导体的异质结构建感存算一体型类脑芯片，获得具有光、电、气存储效果的神经形态电子器件，适合于多模态信息感知、存储与处理。