一种基于扩展栅型OFET的智能离子检测系统及方法

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一种基于扩展栅型OFET的智能离子检测系统及方法
申请号:CN202410758241
申请日期:2024-06-13
公开号:CN118655203A
公开日期:2024-09-17
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种基于扩展栅型OFET的智能离子检测系统及方法,涉及有机场效应晶体管技术领域,该系统包括扩展栅型OFET、检测电路系统,扩展栅型OFET包括间隔设置在同一基底上的OFET单元器件、功能化的扩展栅;OFET单元器件包括从上至下依次层叠设置的源/漏电极、半导体层、介电层及栅极,功能化的扩展栅与栅极电性连接,功能化的扩展栅通过离子交换膜进行功能化修饰;FET单元器件和功能化的扩展栅通过柔性电路板与检测电路系统电性连接;检测电路系统为功能化的扩展栅提供扫描电压,为漏极提供偏置电压,获取栅极电压,基于转移特性曲线确定离子浓度。本发明可避免晶体管受到溶液干扰,检测结果更加可靠,适用于多种离子的检测。
技术关键词
离子检测系统 检测电路系统 元器件 信号传输模块 晶体管电路 微控制器 栅极 柔性电路板 半导体层 离子检测方法 离子交换膜 单壁碳纳米管 蓝牙芯片 基底 电源管理模块 参比电极 有机半导体溶液 工作电极 垂直导电沟道 电压
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