一种改善MOM区域金属bridge的结构

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一种改善MOM区域金属bridge的结构
申请号:CN202410987424
申请日期:2024-07-23
公开号:CN118714919A
公开日期:2024-09-27
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种改善MOM区域金属bridge的结构,该结构包括至少1个图案化金属层,图案化金属层的每个侧壁分别独立地设置有至少1个凹槽结构。该结构可以有效增强金属底部蚀刻能力,降低金属桥接的风险,有效避免芯片失效的问题。
技术关键词
图案化金属层 凹槽结构 氮化钛 开口面积 介质 间距 蚀刻 芯片 风险
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