摘要
本文公开了具有到相邻接触部的导电链路的凹陷过孔,用于形成半导体装置导电互连的技术。在示例中,集成电路包括凹陷过孔和导电桥,该导电桥位于凹陷过孔的顶表面与相邻的源极或漏极接触部之间。晶体管装置包括:从源极或漏极区域延伸的半导体材料;位于半导体材料之上的栅极结构;以及位于源极或漏极区域上的接触部。与源极或漏极区域相邻地,深过孔结构沿竖直方向延伸穿过栅极结构的整个厚度。该过孔结构包括凹陷到导电接触部的顶表面下方的导电过孔。导电桥在接触部与导电过孔之间延伸,使得导电桥接触接触部的一部分以及导电过孔的顶表面的至少一部分。
技术关键词
栅极电极
集成电路
电子装置
管芯
低k电介质材料
半导体材料
芯片封装
栅极结构
纳米带
晶体管装置
衬层
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