切割带、切割芯片接合薄膜和半导体装置的制造方法

本发明涉及切割带、切割芯片接合薄膜和半导体装置的制造方法。提供一种切割带等，其具备基材层、以及重叠于该基材层的单面的粘合剂层，前述基材层具有层叠的多个层，作为该多个层，至少具有包含乙烯‑丙烯酸共聚树脂的第一基材层和包含除前述乙烯‑丙烯酸共聚树脂之外的树脂的第二基材层，在前述第一基材层与前述粘合剂层之间配置有前述第二基材层。