一种差压压力传感器芯片及其加工方法

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一种差压压力传感器芯片及其加工方法
申请号:CN202411021844
申请日期:2024-07-29
公开号:CN118961043A
公开日期:2024-11-15
类型:发明专利
摘要
本发明提出一种差压压力传感器芯片及其加工方法,传感器芯片包括包括设有第一气孔的支撑层和器件层,所述器件层包括顶层硅和覆盖在顶层硅上的氧化层,所述氧化层和顶层硅之间设有轻掺杂层和重掺杂层,所述顶层硅底部开设有孔洞,所述重掺杂层通过孔洞连接到信号引线层,所述信号引线层和顶层硅之间设有第一隔离层,所述信号引线层设有焊球;本发明将芯片的导线用焊球替代,减少了封装复杂性,使得封装难度降低,此外还提高结构强度,实现双向压力差的测量。
技术关键词
差压压力传感器 引线 氧化层 孔洞 信号 SOI硅片 焊球 传感器芯片 衬底层 玻璃 导线 强度
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