双面一体化直接液冷碳化硅功率模块封装结构及制备方法

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双面一体化直接液冷碳化硅功率模块封装结构及制备方法
申请号:CN202411025783
申请日期:2024-07-30
公开号:CN118553697B
公开日期:2024-11-05
类型:发明专利
摘要
本发明涉及半导体模块封装技术,旨在提供一种双面一体化直接液冷碳化硅功率模块封装结构及制备方法。该封装结构包括由上至下布置的上散热器、绝缘电介质层和下散热器;其中,两个散热器均包括陶瓷底板和金属流道,且以各自陶瓷底板相对地平行布置;绝缘电介质层位于两个散热器之间,包括金属材质的上引线框架和下引线框架以及位于两引线框架之间的裸芯片和金属嵌体,并填充了塑封料;上下引线框架分别与两个散热器的陶瓷底板固定连接,形成双面一体化封装结构。本发明充分利用裸芯片的上下表面散热能力,显著缩短封装散热路径,减小模块封装厚度,能够大幅提升芯片通流能力以及可靠性;避免现有模块内部键合线连接方式带来的寄生参数过大问题。
技术关键词
引线框架 陶瓷底板 碳化硅功率模块 散热器 种子层 金属加厚层 焊接工艺 半导体模块封装技术 焊盘 芯片 一体化封装结构 双面 激光刻蚀方法 金属基板 复合绝缘材料 图案 冷却液
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