基于沟道宽度调制压电电子学晶体管的电流的方法与装置

本发明涉及一种基于沟道宽度调制压电电子学晶体管的电流的方法与装置，其中所述方法为通过外界压力来调控压电半导体材料层与顶部压力感应层之间的肖特基势垒高度，从而对压电电子学晶体管的两侧边电极之间的电流进行调节；且侧边电极之间的电流与外界压力线性相关；所述压电电子学晶体管包括能够与所述压电半导体材料层之间形成肖特基接触的顶部压力感应层，以及能够与所述压电半导体材料层之间形成欧姆接触的侧边电极；所述外界压力的施压方向与所述压电半导体材料层的c轴平行，所述c轴为压电半导体材料层内部的自发极化方向。本发明所述方法能够精准控制且稳定性良好的基于沟道宽度调制压电电子学晶体管的电流。