半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统

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半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统
申请号:CN202411030065
申请日期:2024-07-30
公开号:CN119486127A
公开日期:2025-02-18
类型:发明专利
摘要
提供一种半导体器件和数据存储系统。该半导体器件包括:外围电路结构;堆叠结构,与外围电路结构竖直地重叠;以及分离结构,穿透堆叠结构。堆叠结构包括通过分离结构的第一部分彼此间隔开的多个块,多个块中的每一个包括沿竖直方向交替地堆叠的绝缘层和导电层,并且多个块包括第一块、以及设置在第一块之中彼此相邻的第一块之间的多个电容器块。
技术关键词
电容器块 半导体器件 电容器电极 外围电路结构 互连结构 堆叠结构 芯片结构 电容器介电层 竖直存储器 导电层 数据存储系统 焊盘 竖直支撑结构 位线 控制器 信号
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