一种倒装发光二极管芯片及其制备方法

本发明提供一种倒装发光二极管芯片及其制备方法，其中倒装发光二极管芯片的制备方法包括：提供一衬底，在衬底上制备第一半导体层；在第一半导体层上制备第一导电金属层；在第一半导体层以及第一导电金属层上制备布拉格反射层以及布拉格反射通孔；在布拉格反射层以及布拉格反射层通孔上制备第二导电金属层，第二导电金属层包括自下而上依次设置的反射子层、保护子层、导电子层以及阻挡BOE子层；在布拉格反射层以及第二导电金属层上制备第一绝缘层以及第一绝缘层通孔，第一绝缘层通孔的直径≤3um且角度≤30°；在第一绝缘层和第一绝缘层通孔上制备第二半导体层。