一种倒装发光二极管芯片及其制备方法

本发明提供一种倒装发光二极管芯片及其制备方法，其中倒装发光二极管芯片包括：衬底以及依次沉积在所述衬底上的N型半导体层、有源发光层、P型半导体层、电流扩展层、第一绝缘层、布拉格反射层、金属反射层、第二绝缘层、连接金属层、第三绝缘层以及焊盘层；所述连接金属层包括自下而上依次设置的反射层以及保护层，所述保护层包括自下而上依次设置的第一保护母层、第二保护母层以及第三保护母层，其中所述第二保护母层包括n个周期性层叠设置的第一保护子层以及第二保护子层；所述第一保护子层的厚度线性朝向所述第三绝缘层逐渐增大，所述第二保护子层的厚度线性朝向所述第三绝缘层逐渐减小。