一种半导体结构的制备方法

本发明提供了一种半导体结构的制备方法，应用于半导体技术领域。在本发明中，通过先在基底上形成多层介质层(如第一介质层)，然后在不同的介质层中依次形成深度、宽度不同的凹槽和通孔，并沿着所述通孔去除部分所述介质层，从而形成由剩余的多层介质层及通孔组成的空气隙结构，并将所述空气隙结构设置在上下相邻的芯片、元件、器件之间，从而达到增强器件制程工艺过程中所产生热量的热扩散，降低制程工艺过程中的高温对芯片、元件、器件的影响，解决器件制程工艺过程中散热性能不佳的问题，提高器件的可靠性。