一种双侧发光的上转换探测器及其制备方法和应用

本发明公开了一种双侧发光的上转换探测器及其制备方法和应用，属于半导体器件技术领域。本发明提供的上转换探测器包括叠加设置的衬底、阳极层、A空穴注入层、B空穴注入层、A发光层、电子传输层、红外吸收层、空穴传输层、B发光层、电子注入层和阴极层；所述A发光层和B发光层的材质分别独立选自CdSe基量子点、CdS量子点、InAlAs/AlGaAs量子点和InP基量子点中的至少一种；所述A空穴注入层和B空穴注入层的材质不同。本发明提供的上转换探测器具有较高的分辨率、较低的像素串扰，以及长服役寿命。本发明还提供了上述上转换探测器的制备方法和应用。