提升防电极迁移能力的芯片制备方法

本发明涉及芯片制备技术领域，具体涉及提升防电极迁移能力的芯片制备方法，包括在衬底上依次制备外延片、N‑GaN台阶、透明导电层、电极层、电极保护界面层及钝化绝缘层；所述钝化绝缘层采用多层复合材料制备，有效提高了芯片的防电迁移和抗腐蚀能力。