摘要
本发明公开了一种基于单粒子瞬态电流神经网络模型的瞬态电流预测方法,涉及半导体器件的仿真技术领域,解决了现有技术中不能精准计算单粒子的瞬态电流的问题,该方法包括:获取单粒子辐照参数;根据训练完成的单粒子瞬态电流神经网络模型和单粒子辐照参数,利用计算瞬态电流;其中,单粒子瞬态电流神经网络模型包括:神经网络模型和双指数电流模型;构建半导体器件模型,得到标准瞬态电流集;根据标准瞬态电流集对神经网络模型进行训练,得到训练完成的神经网络模型;将神经网络模型与双指数电流模型进行结合,得到单粒子瞬态电流神经网络模型;该方法实现了根据单粒子瞬态电流神经网络模型,对单粒子瞬态故障注入提供模型支持从而得到精准的瞬态电流值。
技术关键词
半导体器件模型
神经网络模型
单粒子瞬态
电流预测方法
电流模型
NMOS器件结构
PMOS器件结构
线性能量转移值
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