基于单粒子瞬态电流神经网络模型的瞬态电流预测方法

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基于单粒子瞬态电流神经网络模型的瞬态电流预测方法
申请号:CN202411065974
申请日期:2024-08-05
公开号:CN119129375A
公开日期:2024-12-13
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种基于单粒子瞬态电流神经网络模型的瞬态电流预测方法,涉及半导体器件的仿真技术领域,解决了现有技术中不能精准计算单粒子的瞬态电流的问题,该方法包括:获取单粒子辐照参数;根据训练完成的单粒子瞬态电流神经网络模型和单粒子辐照参数,利用计算瞬态电流;其中,单粒子瞬态电流神经网络模型包括:神经网络模型和双指数电流模型;构建半导体器件模型,得到标准瞬态电流集;根据标准瞬态电流集对神经网络模型进行训练,得到训练完成的神经网络模型;将神经网络模型与双指数电流模型进行结合,得到单粒子瞬态电流神经网络模型;该方法实现了根据单粒子瞬态电流神经网络模型,对单粒子瞬态故障注入提供模型支持从而得到精准的瞬态电流值。
技术关键词
半导体器件模型 神经网络模型 单粒子瞬态 电流预测方法 电流模型 NMOS器件结构 PMOS器件结构 线性能量转移值 接触区 参数 曲线 传递方法 指数 栅极 衬底 电流值 直线
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