基底台检查方法和包括检查方法的半导体器件制造方法

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基底台检查方法和包括检查方法的半导体器件制造方法
申请号:CN202411075998
申请日期:2024-08-07
公开号:CN120149190A
公开日期:2025-06-13
类型:发明专利
摘要
提供了一种基底台检查方法和/或使用基底台检查方法的半导体器件制造方法,在基底台检查方法中更准确地检测基底台上的颗粒并检查基底台的倾斜异常。基底台检查方法包括:从数据库(DB)接收数据;通过使用数据计算基底台的倾斜;调整数据使得减少倾斜的影响;基于调整的数据检测基底台上的颗粒;以及检查基底台的倾斜异常。
技术关键词
检查方法 基底 半导体器件 方程 半导体芯片 半导体工艺 电路板 数据 校正 测量仪 尺寸 误差
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