自动化ESD保护器件版图设计与版图驱动的模拟仿真方法

AITNT
正文
推荐专利
自动化ESD保护器件版图设计与版图驱动的模拟仿真方法
申请号:CN202411080197
申请日期:2024-08-07
公开号:CN119067047B
公开日期:2025-09-16
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种自动化ESD保护器件版图设计与版图驱动的模拟仿真方法。根据器件特性通过Skill Script语言编译参数化的ESD保护器件单元版图;器件版图作为光刻光罩定义器件几何结构,结合半导体工艺制备的工艺参数模拟三维器件,完成前道工艺(Front‑End of Line,FEoL)的器件提取;通过布线电容参数提取方法将(Back‑End of Line,BEoL)的金属层布线提取成电容模型或电容矩阵。完成准备工作后,将器件层与金属互连线层模型以Mix‑Mode仿真方法模拟,进一步指导设计性能优异的ESD保护器件。通过本发明的方法,可以自动化设计ESD保护器件,并实现对模型的精确提取与仿真,大幅降低了ESD保护器件开发中的设计优化复杂性,显著缩短开发周期。
技术关键词
ESD保护器件 模拟仿真方法 电容参数提取方法 金属互连线 封装器件结构 寄生电容模型 物理结构模型 缩短开发周期 光刻掩膜版 ESD器件 光刻光罩 布线版图 器件版图 三维器件
系统为您推荐了相关专利信息
1
一种外科手术的模拟仿真方法、装置、设备及存储介质
人体模型 交互屏幕 力反馈 模拟仿真方法 计算机执行指令
2
一种评价慢性病防治策略的微观模拟仿真方法
模拟仿真方法 策略 电子健康档案 朴素贝叶斯模型 职业
3
一种复合材料的计算机数值模拟仿真方法、系统及设备
模拟仿真方法 概率密度函数 复合材料 网格模型 刚度
4
ESD保护器件及芯片
ESD保护器件 P型掺杂区 栅极 二极管 负极
5
离子注入碳化硅半导体掺杂过程的模拟仿真方法与装置
SiC晶体 模拟系统 碳化硅半导体 模拟仿真方法 离子
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号