马赛克式异质结基片芯片集成方法

AITNT
正文
推荐专利
马赛克式异质结基片芯片集成方法
申请号:CN202411089459
申请日期:2024-08-09
公开号:CN119024484B
公开日期:2025-09-05
类型:发明专利
摘要
本发明提出的马赛克式异质结基片芯片集成方法,在同一光学衬底(例如硅基片‑二氧化硅衬底)上按马赛克方式集成多种不同的光学材料,每种光学材料之间通过晶格匹配工艺或填充材料连接使得其机械结构和光学结构稳定且不产生变形,全芯片集成光学系统开发者可在此基片基础上通过各种刻蚀工艺刻蚀不同的光学器件、通过同一区域反复度穿实现有源器件和无源器件的按需切换,最终实现全芯片集成光学系统的灵活设计和快速加工。
技术关键词
芯片集成方法 集成光学系统 光学材料 马赛克 异质结 基片 光学器件 半导体放大器 氮化硅 刻蚀工艺 高速电光调制器 可编程逻辑电路 光学结构 二氧化硅衬底 波导 倒装焊工艺 可调谐激光器 光学谐振腔
系统为您推荐了相关专利信息
1
一种用于晶圆减薄的异质结外延芯片
异质结 外延 复合缓冲层 芯片 衬底
2
视频会议设备巡检方法、装置、设备、介质及产品
视频会议设备 诊断特征 巡检方法 视频流 多模态
3
一种基于改进YOLOv11的孤独症刻板行为检测方法
计算机视觉深度学习技术 注意力机制 孤独症儿童 采样模块 视频
4
基于交叉注意力双分支网络的红外偏振图像超分辨方法
红外偏振图像 双分支网络 超分辨方法 去马赛克 注意力
5
一种导光材料和智能卡的组合及其应用
功能卡 LED模块 控制模块 保护内部组件 微结构纹理
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号