通过膜辅助模制制造顶侧冷却半导体封装体的方法和半导体封装体

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通过膜辅助模制制造顶侧冷却半导体封装体的方法和半导体封装体
申请号:CN202411089655
申请日期:2024-08-09
公开号:CN119480648A
公开日期:2025-02-18
类型:发明专利
摘要
一种用于制造一个或多个半导体封装体的方法,所述方法包括:提供包括一个或多个电接触区域(1A)的衬底层(1);将半导体裸片(2)与电接触区域(1A)中的一个连接;提供包括一个或多个接触区(3A)的散热构件(3);将带(4)附接到散热构件(3)的背侧,使得带(4)的相反端部延伸超过散热构件(3)的相反侧边缘;通过将至少一个接触区与半导体裸片(2)耦合来将散热构件(3)的前侧与半导体裸片(2)连接;将模制工具(5)放置在散热构件(3)和衬底层(1)上方,其中,带(4)的相反端部延伸到模制工具(5)之外,使得可从模制工具(5)外部将带(4)移除;将包封材料(6)填充到模腔中;以及移除带(4)。
技术关键词
半导体封装体 散热构件 模制工具 衬底层 接触区 接触元件 电连接器 绝缘金属衬底 GaN晶体管 半导体晶体管 嵌入半导体裸片 包封 功率晶体管 倒装芯片 引线框架 裸片焊盘 粘合剂
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