基于全球电离层图的InSAR电离层延迟校正方法

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基于全球电离层图的InSAR电离层延迟校正方法
申请号:CN202411097668
申请日期:2024-08-12
公开号:CN118625322B
公开日期:2024-10-22
类型:发明专利
摘要
本发明公开一种基于全球电离层图的InSAR电离层延迟校正方法。利用全球电离层图GIM获得的垂直总电子含量VTEC和干涉图地理坐标信息进行计算,得到电离层延迟相位。该方法首先,根据GIM获得VTEC的分布;其次,根据干涉图地理信息进行空间、时间分布计算,通过三维插值获得雷达视线方向信号穿透电离层的地理位置;最后,利用电离层延迟公式计算延迟相位,并在时间序列InSAR中进行电离层延迟校正。本发明可以快速、稳定、有效地去除干涉相位中的电离层延迟影响,提高InSAR对于形变监测的精度,对于快速的形变估计、灾害应急响应、超大尺度形变估计等具有重要的实际意义。
技术关键词
延迟校正方法 雷达 电离层延迟误差 插值计算方法 地球自转角速度 地理坐标信息 电子 信号 插值方法 插值算法 方位角 表达式 序列 频率 数据 关系 载波
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