半导体器件及其制备方法、芯片、电子设备

本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、芯片、电子设备，涉及半导体技术领域，旨在解决相关技术中晶体管和HEMT器件需在两片晶圆上分别制备，再将二者封装，导致封装体积大、寄生电感较大的问题。半导体器件包括第一基底层、凸起部、晶体管以及HEMT器件。第一基底层包括第一表面。凸起部设于第一基底层的第一表面上，凸起部包括第一侧壁，第一侧壁所在平面与第一基底层的第一表面所在平面相交。晶体管设于凸起部远离所述第一基底层的一侧。HEMT器件为耗尽型HEMT器件，HEMT器件包括成核层、外延层和势垒层，成核层、外延层和势垒层沿远离第一侧壁方向依次层叠于第一侧壁上。其中，HEMT器件的栅极和晶体管的第一极连接，HEMT器件的源极和晶体管的第二极连接。