分子动力学模拟中获取晶体材料中位错空间坐标的方法及确定晶体材料中位错滑移轨迹与滑移速度的方法

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分子动力学模拟中获取晶体材料中位错空间坐标的方法及确定晶体材料中位错滑移轨迹与滑移速度的方法
申请号:CN202411101282
申请日期:2024-08-12
公开号:CN119007841A
公开日期:2024-11-22
类型:发明专利
摘要
本发明涉及分子动力学模拟计算领域,公开了一种分子动力学模拟中获取晶体材料中位错空间坐标的方法及确定晶体材料中位错滑移轨迹与滑移速度的方法,所述方法包括获取包含有位错的晶体构型的立体图;基于所述晶体构型的立体图建立三维坐标系;将位错分割成多个位错片段;获取每个位错片段在所述三维坐标系中X轴、Y轴和Z轴上的坐标;基于权重算法,将所有所述位错片段在X轴、Y轴和Z轴上的坐标分别进行权重计算,获得所述位错在X轴、Y轴和Z轴上平均坐标,采用本发明提供的方法可简单并快速的处理获得位错的空间坐标位置及其在某时间段内的滑移轨迹与滑移速度。
技术关键词
坐标系 晶体 权重算法 位移变化规律 时间段 构型 线条 Y轴 轨迹 图谱 速度 网格 系列 分子 线段
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