碳化硅功率模块和碳化硅功率模块的制造方法

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碳化硅功率模块和碳化硅功率模块的制造方法
申请号:CN202411104657
申请日期:2024-08-12
公开号:CN119108363A
公开日期:2024-12-10
类型:发明专利
摘要
本申请涉及功率模块技术领域,特别是涉及一种碳化硅功率模块和碳化硅功率模块的制造方法。方法包括:将功率芯片和碳化硅功率模块的电极通过金属板和金属条带进行电性连接;将功率端子在金属板一侧进行层叠布局;对功率端子、功率芯片、金属条带和金属板进行灌封操作。本申请避免了寄生电感造成碳化硅功率模块两端的开通电压振荡及关断电压过冲而致的击穿,同时实现了成本降低与碳化硅功率模块可靠性提升。并且,通过对功率端子和功率芯片的合理规划,实现了碳化硅功率模块的电压应力调控,从而提高了碳化硅功率模块的整体性能,避免了由于高电流和高电压的变化造成碳化硅功率模块发生失效的情况,提高了碳化硅功率模块的使用寿命。
技术关键词
碳化硅功率模块 功率芯片 功率端子 金属板 双面覆铜陶瓷基板 条带 功率模块技术 布局模块 层叠 散热材料 电极 二极管 处理器 电压 计算机设备 可读存储介质 存储器
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