基于DPC工艺的功率器件用氮化铝-铜复合基板的制造方法

本发明公开了一种基于DPC工艺的功率器件用氮化铝‑铜复合基板的制造方法，属于电子封装领域。上述制造方法包括以下步骤：(1)激光打孔，(2)溅射种子层，(3)光刻显影，(4)电镀铜增厚，(5)退膜刻蚀，(6)镍钯金镀覆，(7)切割。基于本发明所述的制造方法制备的氮化铝‑铜基板，通过调整功率芯片焊接区布孔密度、孔径、表面铜层厚度，可将其热导率从170‑250W/(m·K)提升至220‑330W/(m·K)，实现材料热导率、膨胀系数可调节，且在表面图形高精度加工，实现电气互联。综上，本发明相比于主流的铜‑钼铜‑铜、钼铜、钨铜等金属复合材料成本更低，具有明显的价格优势，特别适合高功率器件封装应用。