摘要
本发明公开了一种传感芯片制备方法、传感芯片及应用,属于传感芯片制备领域,包括以下步骤:S1、制备掩膜图形;S2、制备样片:S21、清洗玻璃基底;S22、在玻璃基底上沉淀金属膜层;S23、在金属膜层上旋涂光刻胶,并进行前烘;S3、用光刻机对样片进行曝光,通过调整曝光剂量,得到多种结构阵列的光刻图形潜像;S4、利用显影液对曝光后的样片进行显影;S5、将光刻图形通过刻蚀传递到金属膜层;S6、去除残留光刻胶。本发明采用上述传感芯片制备方法、传感芯片及应用,仅通过调控曝光剂量范围,即可实现利用一个掩膜圆孔阵列的掩膜图形,制备沟槽形、菱形、三角形、圆形阵列等一系列不同结构类型的传感芯片。
技术关键词
传感芯片
光刻图形
残留光刻胶
掩膜图形
接近式光刻机
接触式光刻机
电感耦合等离子体
阵列
沟槽形
激光直写技术
吸光层材料
基底
显影液
玻璃
掩膜图案
层厚度
刻蚀方法
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