一种芯片内memory修复系统及方法

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一种芯片内memory修复系统及方法
申请号:CN202411112251
申请日期:2024-08-13
公开号:CN119091949A
公开日期:2024-12-06
类型:发明专利
摘要
本申请提供了一种芯片内memory修复系统及方法,包括芯片内BIST逻辑及BIST控制器、芯片内BISR逻辑及BISR控制器、芯片内TAP控制器和芯片内存储恢复控制器,进一步包括外部非易失性存储介质,外部非易失性存储介质与芯片内存储恢复控制器具有访问接口C17,访问接口C17用于将所述芯片内存储恢复控制器存储的memory修复信息记录到外部非易失性存储介质或将外部非易失性存储介质中的memory修复信息加载到芯片内存储恢复控制器中。本申请的技术方案从系统上保证memory的修复可以在板级进行,节省ATE上的测试和修复memory的efuse烧录时间以及节省芯片内的efuse资源等问题。
技术关键词
恢复控制器 非易失性存储介质 修复系统 芯片 信息传输接口 逻辑 非易失性介质 测试接口 测试访问接口 修复方法 实体 控制接口 资源
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