一种用于芯片互连的全IMC相Sn-Bi-In-Ag-Zn高熵低温焊料及其制备方法及其制备方法

本发明涉及一种用于芯片互连的全IMC相Sn‑Bi‑In‑Ag‑Zn高熵低温焊料及其制备方法及其制备方法，属于电子封装材料技术领域。该焊料成分按原子百分比计为25％‑35％的锡、21％‑35％铋、25％‑35％的铟、5％的银及5％‑10％的锌，通过感应熔炼实现焊料的制备。本发明所述的封装用Sn‑Bi‑In‑Ag‑Zn全IMC相高熵低温焊料，所有物相均为IMC相，分别为InSn4‑γ、InBi相及AgZn相，其中InSn4‑γ相类似于固溶体，铋原子在其中高度固溶，具有高混合熵。其熔点<90℃，可在较低温度下实现铜‑铜的可靠互连，且低温润湿性能良好。受高熵合金高熵效应及迟滞扩散效应影响界面IMC生长缓慢，在长时间回流后仍能保持薄IMC层及稳定的力学性能，可显著提高焊点可靠性，适用于芯片的高可靠低温互连。