一种光栅制作方法及激光芯片

本发明提出了一种光栅制作方法及激光芯片，涉及半导体技术领域，包括如下步骤：S1、提供半导体基板；S2、在半导体基板上设置抗反膜；S3、在抗反膜上设置光刻胶，并对光刻胶进行刻蚀，形成多个第一开口；S4、在第一开口对应的抗反膜表面设置金属掩膜；S5、将相邻两个第一开口之间的光刻胶及抗反膜去除，以使抗反膜上形成多个第二开口；S6、在第二开口处对半导体基板上表面进行刻蚀，以在半导体基板的上表面形成光栅结构；S7、去除第二开口两侧的金属掩膜及抗反膜，完成光栅制作。本发明采用金属掩膜作为光栅刻蚀的掩膜，可以有效的减小抗反膜去除时导致的侧蚀，保证了光栅图形的开口的横向尺寸，显著提高了光栅结构的占空比。