一种超宽带表面增强拉曼散射芯片及应用

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一种超宽带表面增强拉曼散射芯片及应用
申请号:CN202411114752
申请日期:2024-08-14
公开号:CN118624585B
公开日期:2025-01-07
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种超宽带表面增强拉曼散射芯片及应用,从底层到顶层依次包括衬底层、表面增强层;其中表面增强层设有金属周期微纳结构阵列,所述金属周期微纳结构阵列由周期性分布的独立金属方块单元组成,所述方块单元为具有厚度的菱形或正方形结构,相邻结构之间顶角相对,形成链式结构。本发明具有超宽带SERS增强特性,能在超宽的带宽范围内保持着增强热点位置不变,且持续保持着高于10^5的SERS增强系数,甚至能达到10^8的级别;其增强带宽可以达到微米级别,甚至10微米的级别,且对折射率环境变化鲁棒性高;对于物质的拉曼光谱分析检测,特别是对于无标记的未知物质检测具备极高的实用价值,且结构简单易制备,具有广阔的应用前景。
技术关键词
微纳结构阵列 芯片 正方形结构 链式结构 衬底层 微米级别 低折射率材料 热点 物质检测 光谱分析 周期性 波长 二氧化硅 间距 鲁棒性 氧化铝 标记
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